tgδ为介质消耗角的正切(或称介质消耗因数)，，，，，，一样平常均较量小。。。。。。。。习惯上也有称tgδ为介质消耗角的。。。。。。。。

       通过丈量tgδ，，，，，，可以反应出绝缘的一系列缺陷，，，，，，如绝缘受潮，，，，，，油或浸渍物脏污或劣化变质，，，，，，绝缘中有气隙爆发放电等。。。。。。。。这时，，，，，，流过绝缘的电流中有功电流分量IRx增大了，，，，，，tgδ也加大。。。。。。。。需要指出的是：绝缘中保存气隙这种缺陷，，，，，，最好通过作tgδ与外加电压的关系曲线tgδ=f(U)来发明。。。。。。。。

       例如关于发电机线棒，，，，，，若是绝缘老化、气隙较多、则tgδ=f(U)将泛起显着的转折、如图2所示。。。。。。。。Uc代表气隙最先放电时的外加电压，，，，，，从tgδ增添的陡度可反应出老化的水平。。。。。。。。但关于变电装备来说，，，，，，由于电桥电压(2500~10000V)常远低于装备的事情电压，，，，，，因此tgδ丈量虽可反应出绝缘受潮、油或浸渍物脏污、劣化变质等缺陷，，，，，，但难以反应出绝缘内部的事情电压下局部放电性缺陷。。。。。。。。

       由于tgδ是一项体现绝缘内功率消耗巨细的参数，，，，，，关于匀称介质，，，，，，它现实上反应着单位体积介质内的介质消耗，，，，，，与绝缘的体积巨细没有关系。。。。。。。。这一点可以明确如下：在一定的绝缘的事情场强下，，，，，，可以近似地以为绝缘厚度正比于U。。。。。。。。当绝缘厚度一定，，，，，，绝缘面积越大，，，，，，其电容量越大，，，，，，ICx也越大，，，，，，故ICX正比于绝缘面积。。。。。。。。因此近似地以为绝缘体积正比于U ICx。。。。。。。。由式（1）进一步可知，，，，，，tgδ反应单位体积中的介质消耗。。。。。。。。

       若是绝缘内的缺陷不是漫衍性而是集中性的，，，，，，则tgδ有时反应就不迅速。。。。。。。。被试绝缘的体积越大，，，，，，或集中性缺陷所占的体积越小！！。。。。。，，，那么集中性缺陷处的介质消耗占被试绝缘所有介质消耗中的比重就越小！！。。。。。，，，而ICx一样平常险些是稳固的，，，，，，故由式（1）可知，，，，，，tgδ增添得也越少，，，，，，这样，，，，，，测tgδ法就不迅速。。。。。。。。

       关于像电机、电缆这类电气装备，，，，，，由于运行中故障多为集中性缺陷生长所致，，，，，，并且被试绝缘的体积较大，，，，，，tgδ法效果就差了。。。。。。。。因此，，，，，，通常对运行中的电机、电缆等装备举行预防性试验时，，，，，，便不做这项试验。。。。。。。。相反，，，，，，关于套管或互感器绝缘，，，，，，tgδ试验就是一项必不可少并且是较量有用的试验。。。。。。。。由于套管的体积小！！。。。。。，，，tgδ法不但可以反应套管绝缘的周全情形，，，，，，并且有时可以检查出其中的集中性缺陷。。。。。。。。

       当被试品绝缘由差别的介质组成，，，，，，例如由两种差别的绝缘部分并联组成时，，，，，，则凭证被试品总的介质消耗为其两个组成部分介质消耗之和，，，，，，并且被试品所受电压即为各组成部分所受的电压，，，，，，由式（1）可得

因此

        由式(2)可知，，，，，，C2/Cx越小！！。。。。。，，，则C2的缺陷(tgδ)增大)在测整体的tgδ时越难发明，，，，，，故关于可以剖析为各个绝缘部分的被试品，，，，，，常用剖析举行tgδ丈量的步伐来更有用地发明缺陷。。。。。。。。例如测变压器tgδ时，，，，，，对套管的tgδ单独举行丈量，，，，，，可以有用地发明套管的缺陷，，，，，，不然，，，，，，由于套管的电容比绕组的电容小得多，，，，，，在丈量变压器绕组连同套管的tgδ时，，，，，，就不易反应套管内的绝缘缺陷。。。。。。。。

       在通过tgδ值判隔离缘状态时，，，，，，同样必需着重于与该装备历年的tgδ值相较量以及和处于同样运行条件下的同类型装备相较量。。。。。。。。纵然tgδ值未凌驾标准，，，，，，但和已往比以及和同样运行条件的其他装备比，，，，，，tgδ突然显着增大时，，，，，，就必需举行处置惩罚，，，，，，不然经常；；；；；；；嵩谠诵兄斜⑹鹿省！！。。。。。